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但美国方面还是没有因此放松警惕。

会议一结束，垂井一位在贝尔实验室工作的美国朋友就跑过来试探：

“听说你们的政府在补贴企业，美国的法律可不允许，在这里，政府和企业是竞争关系。知道为什么美国的律师数量是日本的25倍吗，竞争改变社会。”

项目成功之后，垂井更在项目回忆录里写道：“经过事后确认，我在美国的所到之处全程都有CIA人员‘陪同’，美国政府似乎在等我露出什么破绽。”

而这也是美国的惯用伎俩。几十年后，法国阿尔斯通高管皮耶鲁齐的《美国陷阱》和华为孟晚舟事件中，美国也都是类似的操作。

不过，垂井算是幸运者。他不但有惊无险地回到了日本，而且的确通过这一次主动出击，转移了美国人的视线，让项目得以避开美国人的火力。

赢得时间和空间的日本人因此披星戴月地集中研发，持续突破。

三种电子束描绘装置、电子束描绘软件、高解析度掩膜及检查装置、硅晶圆含氧量及碳量分析技术等微细加工技术与设备、大口径单晶硅培育技术、CAD设计技术等关键技术相继取得突破，适用这些技术的逻辑、存储元件制造技术也都应运而生之下，日本最终提前美国一年时间，研发出了256K DRAM，成为了这一关键领域的引领者。

在超LSI项目基础性研究成果的共享机制下，参与项目的五大公司，也都实现了在半导体技术上的跨越式发展，进而掌握下一代计算机的核心技术，粉碎了美国的技术围猎。

手握金刚钻之后，日本公司开始在半导体产业发起反攻，并快速追赶，改写了与美国之间的攻守关系。

到1986年，日本企业在全球半导体市场份额由26%上升到45%，美国半导体市场份额则从61%下降到43%。当年，全球排名前十的芯片制造商中有六家是日企。

日本电气、东芝和日立更包揽了前三名。

遗憾的是，日本的技术突破最终没能摆脱国家实力的较量与制约。

堪称“珍珠港偷袭”式的日本半导体突围，很快让美国如梦方醒。技术打不赢，就立法来打，立法还打不赢，就想其他办法来打。

1984年，美国推出《半导体芯片保护法》，明确提出政府对芯片产业的更大力度支持；1987年，修改《反托拉斯法》，明确美国政府也可以合法地补贴企业，然后效仿日本，联合14家企业建立了半导体制造技术联盟（即SEMATECH），主攻芯片制造工艺及其设备，从技术上对抗日本先进技术。

强大自身的同时，美国还举起所谓法律武器。依据其《贸易法》301条款，美国半导体行业协会发起了对日本的起诉，逼迫日本于1986年签署《日美半导体协定》，《协定》明确要求，提高美国半导体产品在日本市场上所占的比重至20%。

曾经领导日本成功反击的垂井康夫因此倍感失望与愤怒，评价该《协定》是：

“载入史册的不平等协议”。

正面狙击日本的同时，美国还通过扶植诸如韩国半导体等办法，继续对日本半导体赶尽杀绝。到1990年代中期，日本半导体彻底陷入颓势，至今未能东山再起。

多年后回首往事，垂井康夫仍对当时痛失好局耿耿于怀，但他的教训总结却颇引人深思：

成为世界第一有时并不是好事，当年日本费劲力气冲到第一的位置，结果成了靶子，被美国打压后再也没能翻身。

值得关注的是，走过“失去的三十年”，近年来经济增速复苏、股市连创纪录的日本又对半导体发起了冲锋。

因为他们输得实在不甘心，现任经济产业省大臣斋藤健在日美签下半导体协议时，还是通产省的一位年轻官员。

上个月，出席台积电熊本工厂落成典礼的斋藤健对记者说：

“美国当年是如何疯狂地削弱日本半导体产业竞争力的，我至今历历在目。”

2022年8月，八大日本公司成立半导体制造公司Rapidus，目标在2027年，实现2纳米制程半导体的量产。2023年9月，Rapidus北海道第一工厂举行开工仪式。

对于目前只能生产40纳米制程半导体的日本来说，2纳米的难度比当年“超LSI”项目大了不止一个量级，需要跨越数个障碍，包括：

能制造尖端产品的工厂；数千名熟练技术工人；最新一代的极紫外光刻机；从三星、台积电嘴里争夺客户；5万亿日元的投入。

为此，Rapidus正在“团结”一切能拉拢的力量，连当年的“敌人”IBM都成了合作研发的伙伴。72岁的社长小池淳义曾在日立和西部数据从事芯片制造工作，他对上世纪八九十年代日本的印象是：

“我们认为自己能搞定一切。”

目前，日本政府承诺为Rapidus的2纳米计划补贴20亿美元，如果想要更多的政府投入，他们必须拿出能推向市场的产品。作为新一任日本半导体国家队的队长，小池淳义只能想着如何赢：

“别人需要三个月的事情，我们花一个月来完成。因为这是日本最后的机会。”